C5027 характеристики на русском

Параметры транзистора 2SC5027-R биполярного низкочастотного npn, его основные характеристики и схемы. Цоколевка, продавцы и производители транзистора 2SC5027-R.

Характеристики транзистора KSC5027-R

  • Структура – n-p-n
  • Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 800 В
  • Напряжение коллектор-база, не более: 1100 В
  • Напряжение эмиттер-база, не более: 7 V
  • Ток коллектора, не более: 3 А
  • Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 50 Вт
  • Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 15 до 30
  • Граничная частота коэффициента передачи тока: 15 МГц
  • Корпус: TO-220

Основные параметры транзистора 2SC5027-R биполярного низкочастотного npn.

Эта страница показывает существующую справочную информацию о параметрах биполярного низкочастотного npn транзистора 2SC5027-R . Дана подробная информация о параметрах, схеме и цоколевке, характеристиках, местах продажи и производителях. Аналоги этого транзистора можно посмотреть на отдельной странице.

Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: кремний (Si)

Структура полупроводникового перехода: npn

Pc max Ucb max Uce max Ueb max Ic max Tj max, °C Ft max Cc tip Hfe
50W 1100V 800V 7V 3A 150°C 15MHz 35 15/30

Производитель: SAMSUNG
Сфера применения: Power, High Voltage, General Purpose
Популярность: 30658
Условные обозначения описаны на странице «Теория».

C5027-Search —–> KSC5027

Наименование: C5027
Производитель: Fairchild Semiconductor
Скачать даташит (datasheet):
Описание: Search —–> KSC5027
Другие, ссылающиеся на этот файл: C5027
Даташит C5027-Search -----> KSC5027 страница 1
Даташит C5027-Search -----> KSC5027 страница 2

Описание товара

Биполярный транзистор, характеристики S, CTV-HA-Tr, 300/300V, 0,1A, 70MHz

Классификация по hFE

Транзисторы серии KSC5027 делятся на несколько групп по коэффициенту усиления. Транзистор

KSC5027-N

имеет коэффициент усиления в диапазоне от

10

до

20

,

KSC5027-R

– в диапазоне от

15

до

30

,

KSC5027-O

– в диапазоне от

20

до

40

.

Схемы транзистора 2SC5027-R

Обозначение контактов:
Международное: C – коллектор, B – база, E – эмиттер.
Российское: К – коллектор, Б – база, Э – эмиттер.

Аналоги транзистора 2SC5027-R

Где купить транзистор 2SC5027-R?

NTE2303 Обзор

Description: The NTE2303 is a silicon NPN transistor in a TO220 type package designed for use in small screen black and white deflection circuits.Features: • Collector–Emitter Voltage: VCEX = 1500V • Glassivated Base–Collector Junction • Switching Times with Inductive Loads: tf = 0.65µs (Typ) @ IC = 2A

Просмотреть все

KSC5027R Datasheet (PDF)

7.1. ksc5027.pdf pdf_icon.gif Size:53K _fairchild_semi

KSC5027R KSC5027R

KSC5027High Voltage and High Reliability High Speed Switching Wide SOATO-22011.Base 2.Collector 3.EmitterNPN Silicon TransistorAbsolute Maximum Ratings TC=25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage 1100 V VCEO Collector-Emitter Voltage 800 V VEBO Emitter-Base Voltage 7 V IC Collector Current (DC) 3 A ICP Collector Curre

7.2. ksc5027.pdf pdf_icon.gif Size:24K _samsung

KSC5027R KSC5027R

KSC5027 NPN SILICON TRANSISTORHIGH VOLTAGE AND HIGH RELIABILITYTO-220HIGH SPEED SWITCHINGWIDE SOAABSOLUTE MAXIMUM RATINGSCharacteristic Symbol Rating Unit Collector-Base Voltage VCBO 1100 V Collector-Emitter Voltage VCEO 800 V Emitter-Base Voltage VEBO 7 V Collector Current (DC) IC 3 A Collector Current (Pulse) IC 10 A Base Current IB 1.5 A1.Base 2.Collector 3.Emitter

 7.3. ksc5027f.pdf pdf_icon.gif Size:74K _samsung

KSC5027R KSC5027R

KSC5027F NPN SILICON TRANSISTORHIGH VOLTAGE AND HIGH RELIABILITYHIGH SPEED SWITCHINGTO-220FWIDE SOAABSOLUTE MAXIMUM RATINGSCharacteristic Symbol Rating Unit Collector-Base Voltage VCBO 1100 V Collector-Emitter Voltage V CEO 800 V Emitter-Base Voltage VEBO 7 V Collector Current (DC) IC 3 A Collector Current (Pulse) IC 10 A Base Current IB 1.5 A Collector Dissipation (TC

7.4. ksc5027.pdf pdf_icon.gif Size:88K _inchange_semiconductor

KSC5027R KSC5027R

Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors KSC5027 DESCRIPTION With TO-220C package High voltage and high reliability High speed switching Wide area of safe operation PINNING PIN DESCRIPTION1 Base Collector;connected to 2 mounting base 3 EmitterAbsolute maximum ratings(Ta=25) SYMBOL PARAMETER CONDITIONS VALUE UNITVCBO

 7.5. ksc5027f.pdf pdf_icon.gif Size:215K _inchange_semiconductor

KSC5027R KSC5027R

isc Silicon NPN Power Transistor KSC5027FDESCRIPTIONHigh Collector-Emitter Breakdown Voltage-: V = 800V(Min)(BR)CEOFast Switching SpeedWide Area of Safe OperationMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitching regulator and high voltage switching applicationsHigh speed DC-DC converter applications.ABSOLUT

Другие транзисторы… KSC5026, KSC5026N, KSC5026O, KSC5026R, KSC5027, KSC5027F, KSC5027N, KSC5027O, 2SC5200, KSC5028, KSC5028N, KSC5028O, KSC5028R, KSC5029, KSC5029N, KSC5029O, KSC5029R.

 
Back to Top

Коллективный разум. Дополнения для транзистора 2SC5027-R.

Вы знаете больше о транзисторе 2SC5027-R, чем написано в справочнике? Поделитесь своими данными с другими пользователями сайта.
Дополнить данные о параметрах транзистора 2SC5027-R.
Добавить рисунок транзистора 2SC5027-R.
Загрузить спецификацию (datasheet) транзистора 2SC5027-R.

KSC5027 Аналоги

образ модель Производители Название продукта Тип описание PDF сравнить KSC5027R KSC5027R

TO-220-3 NPN

Fairchild Двухполюсный плоскостной транзистор Похоже вместо Функциональные характеристики согласованы, и некоторые из основных параметров согласованы, но электрические характеристики компонентов несколько отличаются Trans GP BJT NPN 800V 3A 3Pin(3+Tab) TO-220 KSC5027 и KSC5027R аналог BUL416 BUL416

TO-220 NPN 1.6kV 6A

ST Microelectronics Двухполюсный плоскостной транзистор Аналогичная функция Функциональные характеристики устройства согласованы, но основные параметры противоречивы, и структура схемы может быть изменена и заменена. Если замена, пожалуйста, не забудьте прочитать документ с данными TO-220 NPN 800V 6A KSC5027 и BUL416 аналог BUL1403ED BUL1403ED

TO-220 NPN 650V 3A 80W

ST Microelectronics Двухполюсный плоскостной транзистор Аналогичная функция Функциональные характеристики устройства согласованы, но основные параметры противоречивы, и структура схемы может быть изменена и заменена. Если замена, пожалуйста, не забудьте прочитать документ с данными TO-220 NPN 650V 3A KSC5027 и BUL1403ED аналог NTE2303 NTE2303 NTE Electronics Дискретное устройство Аналогичная функция Функциональные характеристики устройства согласованы, но основные параметры противоречивы, и структура схемы может быть изменена и заменена. Если замена, пожалуйста, не забудьте прочитать документ с данными TO-220 NPN 750V 2.5A KSC5027 и NTE2303 аналог KSC5026R KSC5026R Fairchild Аналогичная функция Функциональные характеристики устройства согласованы, но основные параметры противоречивы, и структура схемы может быть изменена и заменена. Если замена, пожалуйста, не забудьте прочитать документ с данными TO-220 NPN 800V 1.5A KSC5027 и KSC5026R аналог KSC5027 KSC5027 ON Semiconductor Аналогичная функция Функциональные характеристики устройства согласованы, но основные параметры противоречивы, и структура схемы может быть изменена и заменена. Если замена, пожалуйста, не забудьте прочитать документ с данными Power Bipolar Transistor KSC5027 и KSC5027 аналог 2SC2979 2SC2979 New Jersey Semiconductor Аналогичная функция Функциональные характеристики устройства согласованы, но основные параметры противоречивы, и структура схемы может быть изменена и заменена. Если замена, пожалуйста, не забудьте прочитать документ с данными Power Bipolar Transistor KSC5027 и 2SC2979 аналог

KSC5027 отечественный анало NTE2303, KSC5027R: KSC5027 , NTE2303 , KSC5027R TO-220-3 NPN. KSC5027 характеристики и его российские аналоги NTE2303, KSC5027R: KSC5027 Trans GP BJT NPN 800V 3A 3Pin(3+Tab) TO-220, NTE2303 TO-220 NPN 750V 2.5A, KSC5027R Trans GP BJT NPN 800V 3A 3Pin(3+Tab) TO-220. KSC5027 аналоги NTE2303, KSC5027R Корпус/Пакет: KSC5027 Trans GP BJT NPN 800V 3A 3Pin(3+Tab) TO-220, NTE2303 TO-220 NPN 750V 2.5A, KSC5027R Trans GP BJT NPN 800V 3A 3Pin(3+Tab) TO-220.

Радиодетали классификация электронных компонентов: 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15

Рейтинг
( 1 оценка, среднее 5 из 5 )
Загрузка ...